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ContactIXYS(5222)
| Compare | Image | Name | Manufacturer | Pricing(USD) | Quantity | Weight(Kg) | Size(LxWxH) | Part Status | Type | Series | Mount | Mounting Type | Operating Temperature | Packaging | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Termination | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Technology | Operating Mode | Input Type | RoHS Status | Published | Datasheet | Voltage - Rated DC | Current Rating | Package / Case | Length | Height | Width | Lead Free | Number of Terminations | Factory Lead Time | Weight | REACH SVHC | Resistance | Number of Pins | Pbfree Code | ECCN Code | Additional Feature | Radiation Hardening | Reach Compliance Code | HTS Code | Evaluation Kit | JESD-609 Code | Terminal Finish | Applications | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Terminal Pitch | Base Part Number | Pin Count | Operating Temperature (Max) | Operating Temperature (Min) | Analog IC - Other Type | Element Configuration | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Power Dissipation | Number of Elements | Subcategory | Supply Current-Max (Isup) | Number of Circuits | Qualification Status | JESD-30 Code | Supplier Device Package | Circuit Type | Forward Voltage | Turn On Delay Time | RMS Current (Irms) | Max Surge Current | Rise Time | Fall Time (Typ) | Turn-Off Delay Time | Continuous Drain Current (ID) | Gate to Source Voltage (Vgs) | Dual Supply Voltage | Transistor Element Material | Configuration | Case Connection | Transistor Application | Polarity/Channel Type | Drain to Source Voltage (Vdss) | Function | Application | DS Breakdown Voltage-Min | Leakage Current (Max) | Threshold Voltage | Speed | Power - Max | Diode Element Material | Power Dissipation-Max | Hold Current | Peak Reverse Current | Peak Non-Repetitive Surge Current | Reverse Voltage | Reverse Current-Max | JEDEC-95 Code | Forward Voltage-Max | Reverse Recovery Time | Recovery Time | Diode Type | Max Reverse Voltage (DC) | Collector Emitter Breakdown Voltage | Average Rectified Current | Non-rep Pk Forward Current-Max | Number of Phases | Turn On Time | Output Current-Max | Collector Emitter Voltage (VCEO) | Max Collector Current | Channel Type | Non-Repetitive Pk On-state Cur | Repetitive Peak Reverse Voltage | Trigger Device Type | Voltage - Off State | Utilized IC / Part | Repetitive Peak Off-state Voltage | Voltage - Clamping | Drain Current-Max (Abs) (ID) | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | Current - Hold (Ih) (Max) | Drain-source On Resistance-Max | Drain to Source Resistance | Avalanche Energy Rating (Eas) | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | Current - Output | Drain to Source Breakdown Voltage | Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | Critical Rate of Rise of Off-State Voltage-Min | Repetitive Peak Off-state Leakage Current-Max | Desc. of Quick-Connects | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | Current - Collector (Ic) (Max) | FET Type | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | Supplied Contents | Turn Off Time-Nom (toff) | Current - Reverse Leakage @ Vr | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | Test Condition | Structure | Number of SCRs, Diodes | Desc. of Screw Terminals | Gate-Emitter Voltage-Max | Gate-Emitter Thr Voltage-Max | Diode Configuration | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | Gate Charge | Current - Collector Pulsed (Icm) | Td (on/off) @ 25°C | Switching Energy | Nominal Vgs | Embedded | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | Vgs (Max) | Minimum Operating Temperature (°C) | Maximum Operating Temperature (°C) | Mounting | Package Height | Package Length | Package Width | PCB changed | HTS | Maximum Power Dissipation (mW) | Military | Maximum Drain Source Voltage (V) | Maximum Gate Source Voltage (V) | Channel Mode | Number of Elements per Chip | Maximum Continuous Drain Current (A) | Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | Typical Turn-Off Delay Time (ns) | Typical Turn-On Delay Time (ns) |
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| IXFT80N10Q | IXYS |
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download | HiPerFET™ | Surface Mount | Surface Mount | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | MOSFET (Metal Oxide) | ENHANCEMENT MODE | RoHS Compliant | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh80n10q-datasheets-8192.pdf | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | 2 | yes | EAR99 | AVALANCHE RATED | e3 | Matte Tin (Sn) | GULL WING | NOT SPECIFIED | 4 | Single | NOT SPECIFIED | 360W | 1 | Not Qualified | R-PSSO-G2 | 70ns | 30 ns | 68 ns | 80A | 20V | SILICON | DRAIN | SWITCHING | 360W Tc | 320A | 0.015Ohm | 1500 mJ | 100V | N-Channel | 4500pF @ 25V | 15m Ω @ 40A, 10V | 4V @ 4mA | 80A Tc | 180nC @ 10V | 10V | ±20V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH23N60Q | IXYS | $17.48 |
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download | HiPerFET™ | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | Through Hole | MOSFET (Metal Oxide) | ENHANCEMENT MODE | RoHS Compliant | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft23n60q-datasheets-4403.pdf | TO-247-3 | 3 | 6g | No SVHC | 320mOhm | 3 | yes | EAR99 | NOT SPECIFIED | 3 | Single | NOT SPECIFIED | 400W | 1 | Not Qualified | 20ns | 20 ns | 45 ns | 23A | 30V | 600V | SILICON | DRAIN | SWITCHING | 4.5V | 400W Tc | TO-247AD | 250 ns | 92A | 1500 mJ | 600V | N-Channel | 3300pF @ 25V | 4.5 V | 320m Ω @ 500mA, 10V | 4.5V @ 4mA | 23A Tc | 90nC @ 10V | 10V | ±30V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK15N100Q | IXYS |
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download | HiPerFET™ | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | MOSFET (Metal Oxide) | ENHANCEMENT MODE | RoHS Compliant | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft15n100q-datasheets-7380.pdf | TO-264-3, TO-264AA | 3 | 3 | yes | AVALANCHE RATED | NOT SPECIFIED | 3 | Single | NOT SPECIFIED | 360W | 1 | Not Qualified | 27ns | 14 ns | 67 ns | 15A | 20V | SILICON | DRAIN | 1000V | 360W Tc | 60A | 0.725Ohm | 1500 mJ | 1kV | N-Channel | 4500pF @ 25V | 700m Ω @ 500mA, 10V | 5V @ 4mA | 15A Tc | 170nC @ 10V | 10V | ±20V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK90N30 | IXYS |
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download | HiPerFET™ | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | MOSFET (Metal Oxide) | ENHANCEMENT MODE | RoHS Compliant | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx90n30-datasheets-5288.pdf | TO-264-3, TO-264AA | 3 | 3 | yes | EAR99 | AVALANCHE RATED | NOT SPECIFIED | 3 | Single | NOT SPECIFIED | 560W | 1 | FET General Purpose Power | Not Qualified | 55ns | 40 ns | 100 ns | 90A | 20V | SILICON | DRAIN | SWITCHING | 560W Tc | 300V | N-Channel | 10000pF @ 25V | 33m Ω @ 45A, 10V | 4V @ 8mA | 90A Tc | 360nC @ 10V | 10V | ±20V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX74N50P2 | IXYS |
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download | HiPerFET™, PolarHV™ | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | MOSFET (Metal Oxide) | ENHANCEMENT MODE | RoHS Compliant | 2011 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk74n50p2-datasheets-4293.pdf | TO-247-3 | 3 | 247 | yes | AVALANCHE RATED | e1 | TIN SILVER COPPER | NOT SPECIFIED | 3 | Single | NOT SPECIFIED | 1.4kW | 1 | FET General Purpose Power | Not Qualified | R-PSIP-T3 | 74A | 30V | SILICON | DRAIN | SWITCHING | 1400W Tc | 185A | 0.077Ohm | 3000 mJ | 500V | N-Channel | 9900pF @ 25V | 77m Ω @ 500mA, 10V | 5V @ 4mA | 74A Tc | 165nC @ 10V | 10V | ±30V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN24N100F | IXYS | $129.04 |
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download | HiPerRF™ | Chassis Mount | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | 150°C | -55°C | MOSFET (Metal Oxide) | RoHS Compliant | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn24n100f-datasheets-3060.pdf | SOT-227-4, miniBLOC | 10 Weeks | No SVHC | 4 | 600W | SOT-227B | 18ns | 11 ns | 52 ns | 24A | 20V | 1000V | 600W Tc | 390mOhm | 1kV | N-Channel | 6600pF @ 25V | 390mOhm @ 12A, 10V | 5.5V @ 8mA | 24A Tc | 195nC @ 10V | 10V | ±20V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFD24N50Q-72 | IXYS |
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download | 1 (Unlimited) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR20N80Q | IXYS |
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| IXFH35N30Q | IXYS |
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download | HiPerFET™ | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | MOSFET (Metal Oxide) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh35n30q-datasheets-3509.pdf | TO-247-3 | 300V | 300W Tc | N-Channel | 4800pF @ 25V | 100m Ω @ 17.5A, 10V | 4V @ 4mA | 35A Tc | 200nC @ 10V | 10V | ±20V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| T-TD1R4N60P 11 | IXYS |
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download | 1 (Unlimited) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTD3N60P-2J | IXYS |
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download | PolarHV™ | Surface Mount | -55°C~150°C TJ | Bulk | 1 (Unlimited) | MOSFET (Metal Oxide) | Die | 600V | 70W Tc | N-Channel | 411pF @ 25V | 2.9 Ω @ 1.5A, 10V | 5.5V @ 50μA | 3A Tc | 9.8nC @ 10V | 10V | ±30V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EVDI430CI | IXYS |
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download | Power Management | Box | 1 (Unlimited) | RoHS Compliant | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-evdd430ci-datasheets-5891.pdf | Yes | FET Driver (External FET) | IXDI430CI | Board(s) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GDBD4410 | IXYS |
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download | Power Management | 1 (Unlimited) | RoHS Compliant | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-gdbd4410-datasheets-6153.pdf | 52 | Yes | High and Low Side Driver (External FET) | IXBD4410, IXBD4411 | Board(s) | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH6N100 | IXYS | $0.94 |
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download | HiPerFET™ | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | Not Applicable | MOSFET (Metal Oxide) | ENHANCEMENT MODE | ROHS3 Compliant | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh6n90-datasheets-7658.pdf | 1kV | 6A | TO-247-3 | Lead Free | 3 | 8 Weeks | No SVHC | 2Ohm | 3 | yes | EAR99 | AVALANCHE RATED | 8541.29.00.95 | e1 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | NOT SPECIFIED | 3 | Single | NOT SPECIFIED | 180W | 1 | FET General Purpose Power | Not Qualified | 40ns | 60 ns | 100 ns | 6A | 20V | 1kV | SILICON | DRAIN | SWITCHING | 1000V | 4.5V | 180W Tc | 250 ns | 6A | 24A | 1kV | N-Channel | 2600pF @ 25V | 4.5 V | 2 Ω @ 500mA, 10V | 4.5V @ 2.5mA | 6A Tc | 130nC @ 10V | 10V | ±20V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK66N85X | IXYS | $26.77 |
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download | HiPerFET™ | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | MOSFET (Metal Oxide) | ROHS3 Compliant | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk66n85x-datasheets-8865.pdf | TO-264-3, TO-264AA | 19 Weeks | yes | 66A | 850V | 1250W Tc | N-Channel | 8900pF @ 25V | 65m Ω @ 500mA, 10V | 5.5V @ 8mA | 66A Tc | 230nC @ 10V | 10V | ±30V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ44P15T | IXYS |
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download | TrenchP™ | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | MOSFET (Metal Oxide) | ENHANCEMENT MODE | ROHS3 Compliant | 2010 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp44p15t-datasheets-5534.pdf | TO-3P-3, SC-65-3 | 3 | 24 Weeks | yes | EAR99 | AVALANCHE RATED | unknown | e3 | PURE TIN | SINGLE | NOT SPECIFIED | 3 | NOT SPECIFIED | 1 | Other Transistors | Not Qualified | R-PSFM-T3 | 44A | SILICON | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DRAIN | SWITCHING | 150V | 150V | 298W Tc | 130A | 0.065Ohm | 1000 mJ | P-Channel | 13400pF @ 25V | 65m Ω @ 500mA, 10V | 4V @ 250μA | 44A Tc | 175nC @ 10V | 10V | ±15V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTX102N65X2 | IXYS | $12.79 |
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download | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | MOSFET (Metal Oxide) | ROHS3 Compliant | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk102n65x2-datasheets-4817.pdf | TO-247-3 | 15 Weeks | 102A | 650V | 1040W Tc | N-Channel | 10900pF @ 25V | 30m Ω @ 51A, 10V | 5V @ 250μA | 102A Tc | 152nC @ 10V | 10V | ±30V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFB44N100Q3 | IXYS | $39.36 |
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download | HiPerFET™ | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | MOSFET (Metal Oxide) | ENHANCEMENT MODE | ROHS3 Compliant | 2011 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfb44n100q3-datasheets-2532.pdf | TO-264-3, TO-264AA | 20.29mm | 26.59mm | 5.31mm | Lead Free | 3 | 20 Weeks | 220MOhm | 264 | 3 | Single | 1.56kW | 1 | FET General Purpose Power | Not Qualified | R-PSIP-T3 | 48 ns | 300ns | 66 ns | 44A | 30V | SILICON | DRAIN | SWITCHING | 1000V | 1560W Tc | 110A | 4000 mJ | 1kV | N-Channel | 13600pF @ 25V | 220m Ω @ 22A, 10V | 6.5V @ 8mA | 44A Tc | 264nC @ 10V | 10V | ±30V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH26N50 | IXYS |
Min: 1 Mult: 1 |
download | HiPerFET™ | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | Not Applicable | MOSFET (Metal Oxide) | ENHANCEMENT MODE | ROHS3 Compliant | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh24n50-datasheets-4823.pdf | 500V | 26A | TO-247-3 | Lead Free | 3 | 8 Weeks | Unknown | 200mOhm | 3 | yes | EAR99 | AVALANCHE RATED | No | e1 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 3 | Single | 300W | 1 | FET General Purpose Power | 33ns | 30 ns | 65 ns | 26A | 20V | 500V | SILICON | DRAIN | SWITCHING | 4V | 300W Tc | 250 ns | 500V | N-Channel | 4200pF @ 25V | 4 V | 200m Ω @ 13A, 10V | 4V @ 4mA | 26A Tc | 160nC @ 10V | 10V | ±20V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DLA5P800UC | IXYS |
Min: 1 Mult: 1 |
Surface Mount | RoHS Compliant | TO-252-3 | 2 | EAR99 | LOW LEAKAGE CURRENT | 8541.10.00.80 | SINGLE | GULL WING | NOT SPECIFIED | 3 | 175°C | -55°C | NOT SPECIFIED | 2 | Rectifier Diodes | R-PSSO-G2 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | ANODE AND CATHODE | EFFICIENCY | SILICON | 60W | 5μA | TO-252AA | 1.38V | RECTIFIER DIODE | 800V | 5A | 64A | 1 | 5A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DSP25-12AT | IXYS |
Min: 1 Mult: 1 |
Surface Mount | 180°C | -40°C | AVALANCHE | RoHS Compliant | TO-268-3 | 2 | yes | EAR99 | UL RECOGNIZED | 8541.10.00.80 | e3 | Matte Tin (Sn) | SINGLE | GULL WING | NOT SPECIFIED | 4 | Dual | NOT SPECIFIED | 2 | Rectifier Diodes | Not Qualified | R-PSSO-G2 | 1.6V | 300A | ANODE AND CATHODE | GENERAL PURPOSE | SILICON | 2mA | 330A | 1.2kV | TO-268AA | RECTIFIER DIODE | 1.2kV | 28A | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DSSK38-0025BS-TUBE | IXYS |
Min: 1 Mult: 1 |
Surface Mount | RoHS Compliant | TO-263-3 | Common Cathode | 25V | 20A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DE475-102N21A | IXYS |
Min: 1 Mult: 1 |
download | MOSFET | RoHS Compliant | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-de475102n21a-datasheets-7491.pdf | 6 | Single Quad Source | N | -55 | 175 | Surface Mount | 3.18 | 21.08 | 23.24 | 6 | 8541.29.00.95 | 1800000 | No | 1000 | ±20 | Enhancement | 1 | 24 | 450@15V | 5500@800V | 52@800V | 190@800V | 155@10V | 5 | 5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXBOD1-34R | IXYS |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Through Hole | PCB, Through Hole | Bulk | 1 (Unlimited) | 125°C | -40°C | Mixed Technology | ROHS3 Compliant | 2000 | /files/ixys-ixbod110-datasheets-4181.pdf | 700mA | Radial | 2 | High Voltage | 4 | BOD | 30mA | 3400V 3.4kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VTO110-12IO7 | IXYS |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Chassis Mount, Screw | Chassis Mount | -40°C~125°C TJ | Bulk | 1 (Unlimited) | ROHS3 Compliant | 2008 | /files/ixys-vto11014io7-datasheets-1622.pdf | 110A | PWS-E2 | 11 | 24 Weeks | 11 | yes | UL RECOGNIZED | 8541.30.00.80 | e4 | Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier | UPPER | UNSPECIFIED | NOT SPECIFIED | VTO | 11 | NOT SPECIFIED | 6 | Silicon Controlled Rectifiers | Not Qualified | SCR | 58A | 3 PHASE BRIDGE | ISOLATED | 5mA | 200mA | 1200 A | 1200V | SCR | 1.2kV | 1200V | 200mA | 1.5V | 1150A 1230A | 100mA | 1000V/us | 300μA | 3G-3GR | Bridge, 3-Phase - All SCRs | 6 SCRs | 3AK-CA-CK | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXCP02M35 | IXYS |
Min: 1 Mult: 1 |
download | IXC | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C | Tube | 1 (Unlimited) | RoHS Compliant | 2004 | /files/ixys-ixcp02m35-datasheets-6602.pdf | TO-220-3 | 3 | 3 | e3 | Tin (Sn) | SINGLE | NOT SPECIFIED | 2.54mm | IXC*02M | ANALOG CIRCUIT | NOT SPECIFIED | Power Management Circuits | 2.5mA | Not Qualified | Current Regulator | 2mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGF20N250 | IXYS |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | Standard | ROHS3 Compliant | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixgf20n250-datasheets-3298.pdf | i4-Pac™-5 (3 Leads) | 3 | 28 Weeks | yes | UL RECOGNIZED | e1 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 100W | SINGLE | NOT SPECIFIED | 3 | NOT SPECIFIED | 1 | Insulated Gate BIP Transistors | Not Qualified | R-PSIP-T3 | SILICON | SINGLE | ISOLATED | N-CHANNEL | 100W | 2.5kV | 524 ns | 3.1V | 23A | 2500V | 355 ns | 20V | 5V | 3.1V @ 15V, 20A | 53nC | 105A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYK100N65B3D1 | IXYS |
Min: 1 Mult: 1 |
download | XPT™, GenX3™ | Through Hole | -55°C~175°C TJ | Tube | Standard | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixyk100n65b3d1-datasheets-0787.pdf | TO-264-3, TO-264AA | 28 Weeks | compliant | 830W | 37ns | 650V | 225A | 400V, 50A, 3 Ω, 15V | 1.85V @ 15V, 70A | 168nC | 460A | 29ns/150ns | 1.27mJ (on), 2mJ (off) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MDMA425P1600PT-PC | IXYS |
Min: 1 Mult: 1 |
download | 16 Weeks | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HTZ180D22K | IXYS |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Chassis Mount, Screw | Chassis Mount | Bulk | 1 (Unlimited) | 180°C | -40°C | ROHS3 Compliant | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-htz180d22k-datasheets-7651.pdf | Module | 3 | 3 | yes | EAR99 | 8541.10.00.80 | UPPER | UNSPECIFIED | NOT SPECIFIED | HTZ180 | 3 | NOT SPECIFIED | 2 | Not Qualified | 22V | HIGH VOLTAGE | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | SILICON | 100A | 22kV | Standard | 22kV | 1.3A | 1 | 22000V | 500μA @ 22000V | 22V @ 2A | 1 Pair Series Connection |
