| Compare | Image | Name | Manufacturer | Pricing(USD) | Quantity | Weight(Kg) | Size(LxWxH) | Part Status | Type | Series | Mount | Mounting Type | Operating Temperature | Packaging | Size / Dimension | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Technology | Operating Mode | Input Type | Height Seated (Max) | RoHS Status | Published | Datasheet | Package / Case | Length | Height | Width | Lead Free | Number of Terminations | Factory Lead Time | Weight | Number of Pins | Interface | Impedance | Additional Feature | Contact Plating | Radiation Hardening | HTS Code | Capacitance @ Frequency | Tolerance | Applications | Surface Mount | Max Power Dissipation | Voltage - Supply | Terminal Position | Terminal Form | Supply Voltage | Terminal Pitch | Base Part Number | Operating Temperature (Max) | Operating Temperature (Min) | Supply Voltage-Max (Vsup) | Supply Voltage-Min (Vsup) | Number of Channels | Analog IC - Other Type | Element Configuration | Power Dissipation | Number of Elements | Subcategory | JESD-30 Code | Supplier Device Package | Input Capacitance | Memory Size | Max Output Voltage | Oscillator Type | Number of I/O | Memory Type | Peripherals | RAM Size | Forward Current | Output Type | Voltage - Load | Max Input Current | Turn On Delay Time | Optoelectronic Device Type | Forward Current-Max | On-State Current-Max | Isolation Voltage-Max | Mounting Feature | Rise Time | Fall Time (Typ) | Turn-Off Delay Time | Continuous Drain Current (ID) | Gate to Source Voltage (Vgs) | Max Reverse Leakage Current | Zener Voltage | Logic Function | Transistor Element Material | Configuration | Case Connection | Transistor Application | Drain to Source Voltage (Vdss) | Test Current | Function | DS Breakdown Voltage-Min | FET Technology | Speed | Output Configuration | Voltage - Isolation | Power - Max | Power Dissipation-Max | Power Line Protection | Voltage - Breakdown (Min) | Current - Peak Pulse (10/1000μs) | Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | Voltage - Reverse Standoff (Typ) | Unidirectional Channels | Reverse Breakdown Voltage | ESD Protection | Power - Peak Pulse | JEDEC-95 Code | Forward Voltage-Max | Voltage Tolerance | Collector Emitter Saturation Voltage | Collector Emitter Voltage (VCEO) | Max Collector Current | Voltage - Forward (Vf) (Typ) | Rise / Fall Time (Typ) | Current - DC Forward (If) (Max) | Reverse Voltage (DC) | Output Current per Channel | Current Transfer Ratio | Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min | Current - Max | Current - Output / Channel | Voltage - Output (Max) | Speed - Read | Speed - Write | Drain-source On Resistance-Max | Drain to Source Resistance | Dark Current-Max | Avalanche Energy Rating (Eas) | Impedance-Max | Current - Output | Drain to Source Breakdown Voltage | Voltage - Supply (Vcc/Vdd) | Program Memory Type | Core Size | Program Memory Size | Connectivity | Data Converter | Current Transfer Ratio (Min) | Current Transfer Ratio (Max) | Turn On / Turn Off Time (Typ) | Vce Saturation (Max) | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | Current - Collector (Ic) (Max) | FET Type | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | Current Drain (Id) - Max | Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Current - Reverse Leakage @ Vr | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | Motor Type - Stepper | Motor Type - AC, DC | Current - Collector Cutoff (Max) | Transistor Type | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequency - Transition | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | Form Factor | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | FET Feature | Rds On Max | Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | Vgs (Max) | Resistor - Base (R1) | Resistor - Emitter Base (R2) | Mfr |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLP750(NEMIC,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
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download | 1 (Unlimited) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TK39A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | $23.74 |
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download | DTMOSIV | Through Hole | Through Hole | 150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | MOSFET (Metal Oxide) | ENHANCEMENT MODE | RoHS Compliant | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tk39a60ws4vx-datasheets-2433.pdf | TO-220-3 Full Pack | 3 | 16 Weeks | 6.000006g | 3 | No | 1 | Single | 1 | 80 ns | 50ns | 9 ns | 200 ns | 38.8A | 30V | SILICON | ISOLATED | SWITCHING | 600V | 600V | 50W Tc | TO-220AB | 0.065Ohm | 608 mJ | N-Channel | 4100pF @ 300V | 65m Ω @ 19.4A, 10V | 3.7V @ 1.9mA | 38.8A Ta | 110nC @ 10V | 10V | ±30V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP127(TPR,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
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download | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | RoHS Compliant | UL RECOGNIZED | 8541.40.80.00 | YES | 85°C | -25°C | 1 | Optocoupler - Transistor Outputs | DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER | 0.025A | 0.15A | 2500V | SURFACE MOUNT | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 0.15W | 1.3V | 4000% | 300V | 200nA | 1000% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TK62J60W,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | $7.85 |
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download | DTMOSIV | Through Hole | Through Hole | 150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | 150°C | -55°C | MOSFET (Metal Oxide) | RoHS Compliant | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tk62j60ws1vq-datasheets-3930.pdf | TO-3P-3, SC-65-3 | 16 Weeks | 3 | No | Single | 400W | 1 | TO-3P(N) | 6.5nF | 58ns | 15 ns | 310 ns | 61.8A | 30V | 600V | 400W Tc | 33mOhm | 600V | N-Channel | 6500pF @ 300V | 38mOhm @ 30.9A, 10V | 3.7V @ 3.1mA | 61.8A Ta | 180nC @ 10V | Super Junction | 38 mΩ | 10V | ±30V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP731(BL-LF2,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
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download | 1 (Unlimited) | TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPN2R703NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage |
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download | U-MOSVIII-H | Surface Mount | Surface Mount | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | 150°C | -55°C | MOSFET (Metal Oxide) | RoHS Compliant | 2014 | /files/toshibasemiconductorandstorage-tpn2r703nll1q-datasheets-0917.pdf | 8-PowerVDFN | 12 Weeks | 8 | No | 1 | Single | 8-TSON Advance (3.3x3.3) | 2.1nF | 11.5 ns | 4.4ns | 5.7 ns | 24 ns | 45A | 20V | 30V | 700mW Ta 42W Tc | 3.3mOhm | N-Channel | 2100pF @ 15V | 2.7mOhm @ 22.5A, 10V | 2.3V @ 300μA | 45A Tc | 21nC @ 10V | 2.7 mΩ | 4.5V 10V | ±20V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP332(BV,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
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download | Bulk | 1 (Unlimited) | 70°C | -25°C | RoHS Compliant | 2007 | PDIP | Lead Free | No | 250mW | 50mA | 400mV | 55V | 50mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CEZ30V,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Zener | CEZ | Surface Mount | 150°C (TJ) | SC-79, SOD-523 | 21pF @ 1MHz | General Purpose | ESC | No | 28V | 4A (8/20μs) | 47.5V (Typ) | 30V | 1 | 200W | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732(GRH-LF2,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
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download | 1 (Unlimited) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4904,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Automotive, AEC-Q101 | Surface Mount | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | US6 | 200mW | 50V | 100mA | 500nA | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 80 @ 10mA, 5V | 200MHz, 250MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 47kOhms | 47kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781(D4GRLL6TC,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
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download | Through Hole | -55°C~110°C | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | DC | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-DIP (0.300, 7.62mm) | 1 | Transistor | 5000Vrms | 1.15V | 2μs 3μs | 60mA | 50mA | 80V | 100% @ 5mA | 200% @ 5mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1909,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
- | Surface Mount | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | US6 | 200mW | 50V | 100mA | 500nA | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 70 @ 10mA, 5V | 250MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 47kOhms | 22kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F(GR-LF7,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | -55°C~110°C | 1 (Unlimited) | DC | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-SMD, Gull Wing | 1 | Transistor | 5000Vrms | 1.15V | 2μs 3μs | 60mA | 50mA | 80V | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1301,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Automotive, AEC-Q101 | Surface Mount | SC-70, SOT-323 | SC-70 | 100 mW | 50 V | 100 mA | 500nA | NPN - Pre-Biased | 30 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 4.7 kOhms | 4.7 kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP504A-2(GB,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Through Hole | Through Hole | -55°C~100°C | Tube | 1 (Unlimited) | DC | RoHS Compliant | 1998 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp504af-datasheets-3743.pdf | 16-DIP (0.300, 7.62mm) | 16 | No | 150mW | 4 | 150mW | 55V | 50mA | Transistor | 50mA | 2μs | 3 μs | 2500Vrms | 5V | 400mV | 55V | 10mA | 1.15V | 2μs 3μs | 5V | 50mA | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3μs, 3μs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2907FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Automotive, AEC-Q101 | Surface Mount | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100mW | 50V | 100mA | 500nA | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | 80 @ 10mA, 5V | 200MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 10kOhms | 47kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP631(F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Through Hole | Through Hole | -55°C~100°C | Tube | 1 (Unlimited) | DC | RoHS Compliant | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp631blf-datasheets-3720.pdf | 6-DIP (0.300, 7.62mm) | Lead Free | 8 Weeks | 6 | 250mW | 1 | 1 | Optocoupler - Transistor Outputs | 55V | Transistor with Base | 60mA | 2μs | 3 μs | 5000Vrms | 400mV | 55V | 50mA | 1.15V | 2μs 3μs | 60mA | 50mA | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3μs, 3μs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2105,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Automotive, AEC-Q101 | Surface Mount | SC-75, SOT-416 | SSM | 100 mW | 50 V | 100 mA | 500nA | PNP - Pre-Biased | 80 @ 10mA, 5V | 200 MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 2.2 kOhms | 47 kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TMP86PM47AUG(C,JZ) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | TLCS-870/C | Surface Mount | -40°C~85°C TA | Tray | 3 (168 Hours) | 2007 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tmp86pm47augcjz-datasheets-4217.pdf | 44-LQFP | 16 Weeks | 44-LQFP (10x10) | External | 35 | PWM, WDT | 1K x 8 | 16MHz | 1.8V~5.5V | OTP | 8-Bit | 32KB 32K x 8 | SIO, UART/USART | A/D 8x10b | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2106,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Surface Mount | SC-75, SOT-416 | SSM | 100 mW | 50 V | 100 mA | 500nA | PNP - Pre-Biased | 80 @ 10mA, 5V | 200 MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 4.7 kOhms | 47 kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK208-R(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | Surface Mount | 125°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | DEPLETION MODE | RoHS Compliant | 2009 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2.9mm | 1.1mm | 1.5mm | 3 | 52 Weeks | 7.994566mg | 3 | No | 100mW | DUAL | GULL WING | Single | 1 | 750μA | -30V | SILICON | SWITCHING | 10V | JUNCTION | N-Channel | 8.2pF @ 10V | 400mV @ 100nA | 50V | 6.5mA | 300μA @ 10V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2103MFV,L3XHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Surface Mount | SOT-723 | VESM | 150 mW | 50 V | 100 mA | 500nA | PNP - Pre-Biased | 70 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 300mV @ 500μA, 5mA | 22 kOhms | 22 kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CRZ47(TE85L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | Surface Mount | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | RoHS Compliant | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-crz47te85lqm-datasheets-4095.pdf | SOD-123F | 12 Weeks | No | ±10% | 700mW | Single | 10μA | 47V | 65Ohm | 10μA @ 37.6V | 1V @ 200mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4901FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Surface Mount | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100mW | 50V | 100mA | 500nA | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 30 @ 10mA, 5V | 200MHz, 250MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 4.7kOhms | 4.7kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CRZ33(TE85L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | Surface Mount | -40°C~150°C | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | RoHS Compliant | 2009 | SOD-123F | 2 | 30Ohm | Silver, Tin | ±10% | 700mW | CRZ33 | Single | 10μA | 33V | 10mA | No | 10% | 30Ohm | 10μA @ 26.4V | 1V @ 200mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1907FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Surface Mount | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100mW | 50V | 100mA | 500nA | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 10kOhms | 47kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67H303HG | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Through Hole | Through Hole | -30°C~85°C TA | Tube | 1 (Unlimited) | Power MOSFET | 19.37mm | RoHS Compliant | 2016 | 25-SIP Formed Leads | 28.8mm | 4.5mm | 25 | 14 Weeks | Parallel, PWM | 8542.39.00.01 | General Purpose | 8V~42V | ZIG-ZAG | 24V | 1mm | 42V | 8V | BRUSH DC MOTOR CONTROLLER | R-PZIP-T25 | 8V~42V | AND | Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage | Half Bridge (2) | 8A | Brushed DC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2405,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Automotive, AEC-Q101 | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | S-Mini | 200 mW | 50 V | 100 mA | 500nA | PNP - Pre-Biased | 80 @ 10mA, 5V | 200 MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 2.2 kOhms | 47 kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC78S121FNG,EL | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | -20°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 3 (168 Hours) | Power MOSFET | RoHS Compliant | 48-TFSOP (0.240, 6.10mm Width) Exposed Pad | 14 Weeks | Parallel | General Purpose | 4.5V~5.5V | 8V~38V | Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage | Half Bridge (8) | 2A | Bipolar | Brushed DC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MG09SCA18TA | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
SAS | MG09 | 5°C ~ 55°C | 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm | - | 5V, 12V | 18TB | Magnetic Disk (HDD) | - | - | - | 3.5" | Toshiba Semiconductor and Storage |
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